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    真空鍍膜機廠家告訴你鍍膜技術十個主要問題及答案

    發布日期:2022-11-30

    一、鍍膜技術可區分為那幾類?
     
      可區分為:(1)真空蒸鍍(2)電鍍(3)化學反應(4)熱處理(5)物理或機械處理
     
      二、常用的真空泵浦有那幾種?適用的抽氣范圍為何?
     
      真空泵浦可分:
     
      (1)機械幫浦(2)擴散泵浦(3)渦輪泵浦(4)吸附泵浦(5)吸著泵浦
     
      真空泵浦抽氣范圍:
     
      泵   浦    抽 氣 范 圍
     
      機械泵浦   10-1~10-4 毫巴
     
      擴散泵浦   10-3~10-6 毫巴
     
      渦輪泵浦   10-3~10-9 毫巴
     
      吸附泵浦   10-3~10-4 毫巴
     
      吸著泵浦   10-4~10-10毫巴
     
      三、電漿技術在表面技術上的應用有那些?
     
      1)濺漿沉積:濺鍍是利用高速的離子撞擊固體靶材,使表面分子濺離并射到基材鍍成一層薄膜,濺射離子的起始動能約在100eV。常用的電漿氣體為氬氣,質量適當而且沒有化學反應。
     
      (2)電漿輔助化沉積:氣相化學沉積的化學反應是在高溫基材上進行,如此才能使氣體前置物獲得足夠的能量反應。
     
      (3)電漿聚合:聚合物或塑料薄膜最簡單的披覆技術就是將其溶劑中,然后涂布于基板上。電漿聚合涂布法系將分子單體激發成電漿,經化學反應后形成一致密的聚合體并披覆在基板上,由于基材受到電漿的撞擊,其附著性也很強。
     
      (4)電漿蝕刻:濕式堿性蝕刻,這是最簡單而且便宜的方法,它的缺點是堿性蝕刻具晶面方向性,而且會產生下蝕的問題。
     
      (5)電漿噴覆:在高溫下運轉的金屬組件須要有陶瓷物披覆,以防止高溫腐蝕的發生。
     
      四、蒸鍍的加熱方式包括那幾種?各具有何特點?
     
      加熱方式分為:(1)電阻加熱(2)感應加熱(3)電子束加熱(4)雷射加熱(5)電弧加熱 ?
     
      各具有的特點:
     
      (1)電阻加熱:這是一種最簡單的加熱方法,設備便宜、操作容易是其優點。
     
      (2)感應加熱:加熱效率佳,升溫快速,并可加熱大容量。
     
      (3)電子束加熱:這種加熱方法是把數千eV之高能量電子,經磁場聚焦,直接撞擊蒸發物加熱,溫度可以高達30000C。而它的電子的來源有二:高溫金屬產生的熱電子,另一種電子的來源為中空陰極放電。
     
      (4)雷射加熱:激光束可經由光學聚焦在蒸鍍源上,產生局部瞬間高溫使其逃離。最早使用的是脈沖紅寶雷射,而后發展出紫外線準分子雷射。紫外線的優點是每一光子的能量遠比紅外線高,因此準分子雷射的功率密度甚高,用以加熱蒸鍍的功能和電子束類似。常被用來披覆成份復雜的化合物,鍍膜的品質甚佳。
     

    真空鍍膜機.jpg

      它和電子束加熱或濺射的過程有基本上的差異,準分子雷射脫離的是微細的顆粒,后者則是以分子形式脫離。
     
      (5)電弧加熱:陰極電弧沉積的優點為:
     
      (1)蒸鍍速率快,可達每秒1.0微米
     
      (2)基板不須加熱
     
      (3)可鍍高溫金屬及陶瓷化合物
     
      (4)鍍膜密高且附著力佳
     
      五、真空蒸鍍可應用在那些產業?
     
      主要產業大多應用于裝飾、光學、電性、機械及防蝕方面等,現就比較常見者分述如下:1.鏡片的抗反射鍍膜(MgO、MgF2、SiO2等),鏡片置于半球支頂,一次可鍍上百片以上。
     
      2.金屬、合金或化合物鍍膜,應用于微電子當導線、電阻、光電功能等用途。_
     
      3.鍍鋁或鉭于絕緣物當電容之電極。
     
      4.特殊合金鍍膜MCrAlY具有耐熱性抗氧化性,耐溫達1100OC,可應用須耐高溫環境的工件,如高速切削及成形加工、渦輪引擎葉片等。
     
      5.鍍金屬于玻璃板供建筑物之裝飾及防紫外線。
     
      6.離子蒸鍍鍍鋁,系以負高電壓加在被鍍件上,再把鋁加熱蒸發,其蒸氣經由電子撞擊離子化,然后鍍到鋼板上。
     
      7.鍍鋁于膠膜,可供裝飾或標簽,且鍍膜具有金屬感等。最大的用途就是包裝,可以防潮、防空氣等的滲入。
     
      8.機械零件或刀磨具鍍硬膜(TiC、TiN、Al2O3)這些超硬薄膜不但硬度高,可有效提高耐磨性,而且所需厚度剪小,能符合工件高精度化的要求。
     
      9.特殊合金薄片之制造。
     
      10.鍍多層膜于鋼板,改善其性能。
     
      11.鍍硅于CdS太陽電池,可增加其效率。
     
      12.奈米粉末之制造,鍍于冷基板上,使其不附著。
     
      六、TiN氮化鈦鍍膜具有那些特點?
     
      有以下的優點:
     
      (1)抗磨損
     
      (2)具亮麗的外觀
     
      (3)具安全性,可使用于外科及食品用具。
     
      (4)具潤滑作用,可減少磨擦。
     
      (5)具防蝕功能
     
      (6)可承受高溫
     
      七、CVD化學氣相沉積法反應步驟可區分為那五個步驟?
     
      (1)不同成份氣相前置反應物由主流氣體進來,以擴散機制傳輸基板表面。理想狀況下,前置物在基板上的濃度是零,亦即在基板上立刻反應,實際上并非如此。
     
      (2)前置反應物吸附在基板上,此時仍容許該前置物在基板上進行有限程度的表面橫向移動。
     
      (3)前置物在基板上進行化學反應,產生沉積物的化學分子,然后經積聚成核、遷移、成長等步驟,最后聯合一連續的膜。
     
      (4)把多余的前置物以及未成核的氣體生成物去吸附。
     
      (5)被去吸附的氣體,以擴散機制傳輸到主流氣相,并經傳送排出。
     
      八、電漿輔助VCD系統具有何特色?
     
      一般CVD均是在高溫的基板下產生沉積反應,如果以電漿激發氣體,即所謂的電漿輔助CVD(PlasmaenhancedCVD簡稱PECVD),則基板溫度可以大幅降低。然而一般薄層的光電鍍膜或次微米線條,相當脆弱,容易受到電漿離子撞擊的傷害,故PECVD并不適宜。
     
      九、CVD制程具有那些優缺點?
     
      優點:
     
      (1)真空度要求不高,甚至不須真空,如熱噴覆。
     
      (2)高沉積速率,APCVD可以達到1μm/min。
     
      (3)相對于PVD,化學量論組成或合金的鍍膜比較容易達成。
     
      (4)鍍膜的成份多樣化,包括金屬、非金屬、氧化物、氮化物、碳化物、半導體、光電材料、聚合物以及鉆石薄膜等。
     
      (5)可以在復雜形狀的基材鍍膜,甚至滲入多孔的陶瓷。
     
      (6)厚度的均勻性良好,LPCVD甚至可同時鍍數十芯片。
     
      缺點:
     
      (1)熱力學及化學反應機制不易了解或不甚了解。
     
      (2)須在高溫度下進行,有些基材不能承受,甚至和鍍膜起作用。
     
      (3)反應氣體可能具腐蝕性、毒性或爆炸性,處理需格外小心。
     
      (4)反應生成物可能殘余在鍍膜,成為雜質。
     
      (5)基材的遮蔽很難。
     
      十、鉆石材料具有那些優點?可應用在那些產業上?
     
      優點:硬度高、耐磨性高、低熱脹率、散熱能力良好、防蝕能力加>>>等等
     
      可應用在:聲學產品、消費產品、生醫產品、光學產品、超級磨料、航天產品、鉆石制造、化學產品、電子產品、機械產品。

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